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单晶硅多晶硅炉高温硅液位测量系统的方案
2011-09-29 15:36:02 来源：武汉欧卡李波单晶硅和多晶硅铸锭炉是单晶硅多晶硅制造的关键设备之一，其工艺流程的稳定性、设备控制的稳定性和先进性直接关系到是否生成出合格的硅棒或硅锭，而合格的硅棒或硅锭和硅锭直接决定着硅片制成的电池的光电转换效率单晶硅/多晶硅炉高温硅液位测量系统的方案
。
随着多晶硅太阳能电池工艺的逐渐成熟和硅片向大尺寸方向发展，多晶硅片生产的
成本优势开始逐渐显露，多晶硅电池生产的比例在大幅提高，相应的，多晶硅生产设备也
受到市场的追捧。
多晶铸锭炉的关键技术有：方便形成竖直温度梯度的热场技术、大型隔热笼同步提升
技术、异质材料连接提高加热器寿命技术、防硅液泄漏等安全性设计技术、炉腔节能设计
技术等。其技术的发展趋势，一是提高单炉产量，进一步降低单位多晶硅片生产成本；二
是优化改进工艺，提高产能、生产合格率和硅锭质量；三是创新温区设计，提高原料回收
及利用率；四是节能，进一步降低单位生产能耗。
那么要提高单炉产量和单炉温度梯形工艺,是个关键技术,相应的工艺要求,测量的准
确性,我公司引进德国激光产品可为多晶炉铸锭技术工艺上提高有非常重要的意义,通过安
装窝工司的激光高温产品,可以精确测量高温多晶硅液体液位,这样就可以将生长情况及时
反馈给工艺人员,从而通过改善相关工艺,达到以下目的：
1.减少成型时间,从而降低电能损耗；
2.改善成型工艺,提高生产效率；
3.实时监控,提高产品成型品质；
4.降低人工劳动强度,提高劳动效率。
通过我们在多晶硅和单晶硅现场距离测量测试，达到预期测量效果，对以后国内多晶
硅和单晶硅生产将起到非常好的影响，对降低能耗，提高生产效率,有相当高的效果。据
现场的技术人员测算，至少能提高生产率10%-20%，对于1000吨产量厂，提高15%的产
能，那么就会增加产值达几千万,对其公司生产来说是非常重要的。
北京三奇拓达科技公司提供高温激光测距,*高温度能达到1550度以上，精度为0.3mm，
分辨率达到0.1mm，供Rs232/Rs422/4-20mA，也可根据用户要求提供PROFIBUS，CAN等
特殊产品接口，*佳测量距离在10m以内，是目前国内能测量1200度以上唯一产品。
型号：HY-LHS2-0060-50-XXX(硅行业专用）
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